Th3(CuSi)4

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-3345612 · 空间群: Immm (#71)

Materials Project API

基础信息

化学式

Th3(CuSi)4

MP-ID

mp-3345612

元素数

位点数

密度

8.6914

g/cm³

体积

203.02

Å³

晶胞参数 a

4.1512

晶胞参数 b

4.0972

晶胞参数 c

12.2879

α 角

99.60

β 角

99.72

γ 角

90.00

空间群

Immm

点群

mmm

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.67164

eV/atom

能量/原子

-27.84510

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-27.8451

eV/atom

体积/原子

18.46

Å³

c/a 比

2.9601

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.3776

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.001860

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Cu · 0.364

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.636

间隙分数

0.364

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0901

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.0628

J/mol·K

Ω 参数

1.5187

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

18.841%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2672

越小混合越稳定

VEC

6.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-10.050

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9922

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahijdk

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3345612

参考引用

The crystal structure and related material properties of Th3(CuSi)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3345612, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Th3(CuSi)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.15119856
_cell_length_b   4.09716961
_cell_length_c   12.28787372
_cell_angle_alpha   99.59692379
_cell_angle_beta   99.72470552
_cell_angle_gamma   90.00001341
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th3(CuSi)4
_chemical_formula_sum   'Th3 Cu4 Si4'
_cell_volume   203.02294683
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.85086061  0.35086061  0.70172322  1.0
  Th  Th1  1  0.14913939  0.64913939  0.29827678  1.0
  Th  Th2  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Cu  Cu3  1  0.24982540  0.24982540  0.49964981  1.0
  Cu  Cu4  1  0.75017460  0.75017460  0.50035019  1.0
  Cu  Cu5  1  0.59739613  0.09739613  0.19479227  1.0
  Cu  Cu6  1  0.40260387  0.90260387  0.80520773  1.0
  Si  Si7  1  0.44990397  0.44990397  0.89980894  1.0
  Si  Si8  1  0.55009603  0.55009603  0.10019106  1.0
  Si  Si9  1  0.69589886  0.19589886  0.39179772  1.0
  Si  Si10  1  0.30410114  0.80410114  0.60820228  1.0

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