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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-581730 · 空间群: C2/m (#12)

基础信息

化学式
Ho4Ga21Ni10
MP-ID
mp-581730
元素数
3
位点数
35
密度
8.3572
g/cm³
体积
538.63
ų
晶胞参数 a
10.6515
Å
晶胞参数 b
10.6515
Å
晶胞参数 c
15.4343
Å
α 角
55.86
°
β 角
55.86
°
γ 角
22.02
°
空间群
C2/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.50449
eV/atom
能量/原子
-4.49826
eV/atom
凸包距离
0.0015
eV/atom
未修正能量
-4.4983
eV/atom
体积/原子
15.39
ų
c/a 比
1.4490

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0004
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.600
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.400
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9123
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.5850
J/mol·K
Ω 参数
0.4832
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.757%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1997
越小混合越稳定
VEC
5.914
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-13.714
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8304
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(2 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-581730
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Ga21Ni10 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-581730, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Ga21Ni10
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   10.65149510
_cell_length_b   10.65149510
_cell_length_c   15.43431294
_cell_angle_alpha   55.86225132
_cell_angle_beta   55.86225132
_cell_angle_gamma   22.01871847
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Ga21Ni10
_chemical_formula_sum   'Ho4 Ga21 Ni10'
_cell_volume   538.63116945
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.23242300  0.23242300  0.67743500  1.0
  Ho  Ho1  1  0.88198700  0.88198700  0.83303500  1.0
  Ho  Ho2  1  0.11801300  0.11801300  0.16696500  1.0
  Ho  Ho3  1  0.76757700  0.76757700  0.32256500  1.0
  Ga  Ga4  1  0.88324300  0.88324300  0.05225900  1.0
  Ga  Ga5  1  0.99492600  0.99492600  0.59105900  1.0
  Ga  Ga6  1  0.38424500  0.38424500  0.20437400  1.0
  Ga  Ga7  1  0.70284200  0.70284200  0.99823500  1.0
  Ga  Ga8  1  0.79771600  0.79771600  0.50394800  1.0
  Ga  Ga9  1  0.37669200  0.37669200  0.69410200  1.0
  Ga  Ga10  1  0.61575500  0.61575500  0.79562600  1.0
  Ga  Ga11  1  0.39855400  0.39855400  0.49635200  1.0
  Ga  Ga12  1  0.62330800  0.62330800  0.30589800  1.0
  Ga  Ga13  1  0.75428900  0.75428900  0.79467800  1.0
  Ga  Ga14  1  0.00507400  0.00507400  0.40894100  1.0
  Ga  Ga15  1  0.93258200  0.93258200  0.29551400  1.0
  Ga  Ga16  1  0.20228400  0.20228400  0.49605200  1.0
  Ga  Ga17  1  0.06741800  0.06741800  0.70448600  1.0
  Ga  Ga18  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga19  1  0.54029000  0.54029000  0.12924400  1.0
  Ga  Ga20  1  0.11675700  0.11675700  0.94774100  1.0
  Ga  Ga21  1  0.29715800  0.29715800  0.00176500  1.0
  Ga  Ga22  1  0.45971000  0.45971000  0.87075600  1.0
  Ga  Ga23  1  0.60144600  0.60144600  0.50364800  1.0
  Ga  Ga24  1  0.24571100  0.24571100  0.20532200  1.0
  Ni  Ni25  1  0.49945100  0.49945100  0.68759600  1.0
  Ni  Ni26  1  0.02467600  0.02467600  0.89336700  1.0
  Ni  Ni27  1  0.97532400  0.97532400  0.10663300  1.0
  Ni  Ni28  1  0.34514800  0.34514800  0.38922500  1.0
  Ni  Ni29  1  0.86950700  0.86950700  0.60337900  1.0
  Ni  Ni30  1  0.24983700  0.24983700  0.88636300  1.0
  Ni  Ni31  1  0.75016300  0.75016300  0.11363700  1.0
  Ni  Ni32  1  0.13049300  0.13049300  0.39662100  1.0
  Ni  Ni33  1  0.65485200  0.65485200  0.61077500  1.0
  Ni  Ni34  1  0.50054900  0.50054900  0.31240400  1.0
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