GaN

弹性数据 ELA

MP-ID: mp-830 · 空间群: F-43m (#216)

Materials Project API

基础信息

化学式

GaN

MP-ID

mp-830

元素数

位点数

密度

6.0747

g/cm³

体积

22.89

Å³

晶胞参数 a

3.1869

晶胞参数 b

3.1869

晶胞参数 c

3.1869

α 角

60.00

β 角

60.00

γ 角

60.00

空间群

F-43m

点群

-43m

晶体系统

Cubic

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 17）

2θ	d (Å)	I	hkl
34.47	2.6021	50.0	(0,1,0)
34.47	2.6021	100.0	(0,0,1)
34.47	2.6021	50.0	(1,0,0)
40.01	2.2535	65.1	(1,1,0)
57.87	1.5935	27.5	(0,1,-1)
57.87	1.5935	13.7	(1,1,2)
57.87	1.5935	13.7	(1,-1,0)
57.87	1.5935	27.5	(1,0,-1)
69.13	1.3589	30.5	(1,2,0)
69.13	1.3589	24.4	(0,1,2)
69.13	1.3589	12.2	(1,-1,-1)
69.13	1.3589	6.1	(2,1,0)
72.67	1.3011	3.9	(0,2,0)
72.67	1.3011	7.8	(0,0,2)
72.67	1.3011	3.9	(2,0,0)
86.35	1.1268	8.2	(2,0,2)
86.35	1.1268	4.1	(2,2,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.66332

eV/atom

能量/原子

-10.94908

eV/atom

凸包距离

0.0067

eV/atom

未修正能量

-10.9491

eV/atom

体积/原子

11.44

Å³

c/a 比

1.0000

电子属性

金属性

非金属

带隙

1.570

直接带隙

Yes

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.0000

μB

磁有序

Unknown

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

K_VRH

171.704

GPa

G_VRH

103.147

GPa

杨氏模量 E

257.816

GPa

泊松比 ν

0.250

Pugh 比 K/G

1.665

维氏硬度估算

13.594

GPa

韧性

Ductile

各向异性

0.947

拉梅 λ

102.939

GPa

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.500

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.500

间隙分数

0.500

弹性模量对比 (GPa)

弹性特征

弹性各向异性 A^U

0.9470

均匀泊松比 ν

0.2500

Debye 温度

604.2

声速

4,574.6

m/s

均匀度

0.2500

关联任务

关联的计算任务 ID（6 个）

aaablgvv aaacmwui aaadtffi aaaegplm aaaenvut aaafspwg

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-830

参考引用

The crystal structure and related material properties of GaN were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-830, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_GaN
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.18693029
_cell_length_b   3.18693186
_cell_length_c   3.18693158
_cell_angle_alpha   60.00000291
_cell_angle_beta   59.99998662
_cell_angle_gamma   59.99999527
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   GaN
_chemical_formula_sum   'Ga1 N1'
_cell_volume   22.88774647
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.00000000  -0.00000000  0.00000000  1.0
  N  N1  1  0.25000000  0.25000000  0.25000000  1.0

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