基础信息
化学式
GaSiO3
MP-ID
mp-1184206
元素数
3
位点数
5
密度
5.2922
g/cm³
体积
45.75
ų
晶胞参数 a
3.5765
Å
晶胞参数 b
3.5765
Å
晶胞参数 c
3.5765
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cP
稳定性
No
堆积分数
0.5236
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5406 Å
衍射峰（Top 9）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 24.90 | 3.5737 | 11.4 | (1,0,0) |
| 35.50 | 2.5270 | 100.0 | (1,1,0) |
| 43.84 | 2.0633 | 42.2 | (1,1,1) |
| 51.07 | 1.7868 | 49.9 | (2,0,0) |
| 57.63 | 1.5982 | 6.5 | (2,1,0) |
| 63.74 | 1.4589 | 37.4 | (2,1,1) |
| 75.13 | 1.2635 | 27.7 | (2,2,0) |
| 80.58 | 1.1912 | 3.1 | (2,2,1) |
| 85.94 | 1.1301 | 16.9 | (3,1,0) |
能量属性
形成能/原子
-2.04628
eV/atom
能量/原子
-6.70574
eV/atom
凸包距离
0.6738
eV/atom
未修正能量
-6.2935
eV/atom
体积/原子
9.15
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0074
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000160
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
O · 0.600
元素家族
N/A
溶质分数
0.400
间隙分数
0.200
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
C
评分
0.374
家族
Interstitial Alloy
基质元素
O · 0.600
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1184206
参考引用
The crystal structure and related material properties of GaSiO3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1184206, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaSiO3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.57653300
_cell_length_b 3.57653300
_cell_length_c 3.57653300
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural GaSiO3
_chemical_formula_sum 'Ga1 Si1 O3'
_cell_volume 45.74953768
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Si Si1 1 0.50000000 0.50000000 0.50000000 1.0
O O2 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
O O3 1 0.50000000 0.00000000 0.50000000 1.0
O O4 1 0.00000000 0.50000000 0.50000000 1.0
