GaBiSe

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-1212846 · 空间群: I4/mcm (#140)

Materials Project API

基础信息

化学式

GaBiSe

MP-ID

mp-1212846

元素数

位点数

密度

4.6062

g/cm³

体积

515.76

Å³

晶胞参数 a

8.9335

晶胞参数 b

8.8139

晶胞参数 c

8.8139

α 角

75.12

β 角

59.55

γ 角

59.55

空间群

I4/mcm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.65	7.5982	100.0	(0,1,0)
16.50	5.3727	45.8	(0,1,1)
19.88	4.4668	47.0	(2,1,1)
20.99	4.2321	63.1	(1,0,-1)
23.10	3.8507	42.9	(2,1,0)
23.42	3.7991	9.4	(0,2,0)
25.94	3.4348	1.9	(2,0,0)
26.23	3.3980	54.3	(0,2,1)
30.90	2.8939	6.4	(2,1,-1)
31.65	2.8271	11.7	(1,1,-2)
33.12	2.7044	59.9	(2,0,-1)
33.35	2.6864	23.1	(0,2,2)
35.44	2.5327	21.6	(0,3,0)
35.46	2.5313	18.1	(3,1,0)
35.89	2.5019	1.6	(1,2,-2)
39.13	2.3021	90.9	(2,-1,-1)
40.39	2.2334	22.5	(4,2,2)
40.96	2.2032	29.1	(2,1,-2)
42.17	2.1427	9.0	(4,2,1)
42.73	2.1160	15.9	(2,0,-2)
42.92	2.1074	3.0	(0,3,2)
42.93	2.1065	5.3	(3,1,-1)
43.90	2.0623	7.6	(4,1,1)
46.64	1.9474	12.9	(1,2,-3)

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能量属性

形成能/原子

0.10395

eV/atom

能量/原子

-27.98159

eV/atom

凸包距离

0.5640

eV/atom

未修正能量

-3.3017

eV/atom

体积/原子

42.98

Å³

c/a 比

0.9866

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0001

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.333

元素家族

N/A

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.190

家族

Ga-rich Multi-Component

基质元素

Ga · 0.333

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaadzwxr

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1212846

参考引用

The crystal structure and related material properties of GaBiSe were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1212846, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_GaBiSe
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.93351800
_cell_length_b   8.81388346
_cell_length_c   8.81388346
_cell_angle_alpha   75.11778749
_cell_angle_beta   59.54996988
_cell_angle_gamma   59.54996988
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   GaBiSe
_chemical_formula_sum   'Ga4 Bi4 Se4'
_cell_volume   515.75527259
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.25000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.75000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.25000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.75000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Bi  Bi4  1  0.88736600  0.50000000  0.22526800  1.0
  Bi  Bi5  1  0.61263400  0.50000000  0.77473200  1.0
  Bi  Bi6  1  0.38736600  0.22526800  0.50000000  1.0
  Bi  Bi7  1  0.11263400  0.77473200  0.50000000  1.0
  Se  Se8  1  0.88782000  0.22436000  0.50000000  1.0
  Se  Se9  1  0.61218000  0.77564000  0.50000000  1.0
  Se  Se10  1  0.11218000  0.50000000  0.77564000  1.0
  Se  Se11  1  0.38782000  0.50000000  0.22436000  1.0

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