GaBiS

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-1213041 · 空间群: I4/mcm (#140)

Materials Project API

基础信息

化学式

GaBiS

MP-ID

mp-1213041

元素数

位点数

密度

4.1963

g/cm³

体积

491.90

Å³

晶胞参数 a

9.7817

晶胞参数 b

8.6144

晶胞参数 c

8.6144

α 角

71.20

β 角

55.41

γ 角

55.41

空间群

I4/mcm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.48	7.0914	61.9	(0,1,0)
17.69	5.0144	29.5	(0,1,1)
18.14	4.8908	34.1	(2,1,1)
21.80	4.0769	100.0	(1,2,1)
22.08	4.0261	34.1	(2,2,1)
25.12	3.5457	7.0	(0,2,0)
25.44	3.5012	4.0	(2,2,2)
28.14	3.1714	29.8	(0,2,1)
31.16	2.8707	3.2	(2,3,1)
31.16	2.8707	3.2	(2,1,-1)
33.49	2.6754	22.9	(1,3,1)
33.68	2.6609	37.3	(2,3,2)
33.99	2.6373	34.8	(3,3,2)
35.82	2.5072	11.4	(0,2,2)
36.75	2.4454	21.0	(4,2,2)
38.07	2.3638	10.6	(0,3,0)
38.12	2.3605	1.1	(1,3,2)
38.96	2.3118	7.9	(4,3,2)
40.21	2.2425	1.3	(0,3,1)
40.43	2.2311	61.1	(2,3,3)
41.07	2.1980	6.9	(4,3,3)
42.47	2.1283	15.7	(2,4,1)
42.73	2.1161	12.1	(3,4,2)
44.44	2.0385	5.3	(2,4,2)

获取直接链接

能量属性

形成能/原子

0.14515

eV/atom

能量/原子

-25.84788

eV/atom

凸包距离

0.6546

eV/atom

未修正能量

-3.4647

eV/atom

体积/原子

40.99

Å³

c/a 比

0.8807

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0011

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.333

元素家族

N/A

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.190

家族

Ga-rich Multi-Component

基质元素

Ga · 0.333

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaadzuzk

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1213041

参考引用

The crystal structure and related material properties of GaBiS were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1213041, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick | 拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移

原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_GaBiS
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.78165500
_cell_length_b   8.61443748
_cell_length_c   8.61443748
_cell_angle_alpha   71.19564947
_cell_angle_beta   55.40667754
_cell_angle_gamma   55.40667754
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   GaBiS
_chemical_formula_sum   'Ga4 Bi4 S4'
_cell_volume   491.90313850
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.25000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga1  1  0.75000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga2  1  0.25000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.75000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Bi  Bi4  1  0.88443400  0.50000000  0.23113200  1.0
  Bi  Bi5  1  0.61556600  0.50000000  0.76886800  1.0
  Bi  Bi6  1  0.38443400  0.23113200  0.50000000  1.0
  Bi  Bi7  1  0.11556600  0.76886800  0.50000000  1.0
  S  S8  1  0.89129500  0.21741000  0.50000000  1.0
  S  S9  1  0.60870500  0.78259000  0.50000000  1.0
  S  S10  1  0.10870500  0.50000000  0.78259000  1.0
  S  S11  1  0.39129500  0.50000000  0.21741000  1.0

获取直接链接