基础信息
化学式
Tm3Ga2Ge3
MP-ID
mp-1216665
元素数
3
位点数
16
密度
8.9003
g/cm³
体积
322.46
ų
晶胞参数 a
7.6850
Å
晶胞参数 b
7.6850
Å
晶胞参数 c
7.6850
Å
α 角
119.68
°
β 角
119.68
°
γ 角
90.55
°
空间群
I4cm
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
No
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 16.23 | 5.4603 | 1.2 | (1,-1,0) |
| 23.15 | 3.8423 | 7.3 | (1,1,-2) |
| 27.11 | 3.2898 | 27.7 | (2,-1,-1) |
| 28.40 | 3.1423 | 16.7 | (2,0,-2) |
| 32.80 | 2.7301 | 16.6 | (2,-2,0) |
| 33.13 | 2.7039 | 24.5 | (2,2,-2) |
| 36.01 | 2.4938 | 100.0 | (3,0,-2) |
| 36.81 | 2.4419 | 74.8 | (2,-2,1) |
| 37.10 | 2.4231 | 5.5 | (2,2,-3) |
| 40.74 | 2.2148 | 1.3 | (3,1,-3) |
| 47.07 | 1.9305 | 2.4 | (2,-2,2) |
| 47.32 | 1.9212 | 10.8 | (2,2,-4) |
| 49.39 | 1.8454 | 7.5 | (3,-2,-2) |
| 49.50 | 1.8413 | 3.2 | (4,-1,-2) |
| 50.12 | 1.8201 | 5.1 | (3,-3,0) |
| 50.35 | 1.8123 | 31.4 | (4,0,-3) |
| 50.64 | 1.8026 | 4.5 | (3,3,-3) |
| 53.04 | 1.7267 | 11.8 | (3,-3,1) |
| 53.09 | 1.7250 | 5.1 | (4,-2,-1) |
| 53.54 | 1.7117 | 5.0 | (3,3,-4) |
| 55.27 | 1.6620 | 15.0 | (4,-1,-3) |
| 56.33 | 1.6334 | 5.4 | (4,2,-4) |
| 61.20 | 1.5144 | 2.2 | (3,-3,2) |
| 63.83 | 1.4583 | 3.2 | (4,-2,-3) |
能量属性
形成能/原子
-0.68110
eV/atom
能量/原子
-4.85269
eV/atom
凸包距离
0.0025
eV/atom
未修正能量
-21.9956
eV/atom
体积/原子
20.15
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
Unknown
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.375
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.625
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0822
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.9974
J/mol·K
Ω 参数
1.8690
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.456%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3382
越小混合越稳定
VEC
7.125
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.833
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9851
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1216665
参考引用
The crystal structure and related material properties of Tm3Ga2Ge3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1216665, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm3Ga2Ge3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.68494694
_cell_length_b 7.68494694
_cell_length_c 7.68494694
_cell_angle_alpha 119.68085319
_cell_angle_beta 119.68085319
_cell_angle_gamma 90.55367310
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Tm3Ga2Ge3
_chemical_formula_sum 'Tm6 Ga4 Ge6'
_cell_volume 322.45983128
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Tm Tm0 1 0.66548629 0.16548629 0.82636704 1.0
Tm Tm1 1 0.33911926 0.83911926 0.17363296 1.0
Tm Tm2 1 0.83911926 0.66548629 0.50000000 1.0
Tm Tm3 1 0.16548629 0.33911926 0.50000000 1.0
Tm Tm4 1 0.74158496 0.74158496 -0.00000000 1.0
Tm Tm5 1 0.24158496 0.24158496 -0.00000000 1.0
Ga Ga6 1 0.95340153 0.45340153 0.77654010 1.0
Ga Ga7 1 0.67686043 0.17686043 0.22345990 1.0
Ga Ga8 1 0.17686043 0.95340153 0.50000000 1.0
Ga Ga9 1 0.45340153 0.67686043 0.50000000 1.0
Ge Ge10 1 0.49013533 0.49013533 -0.00000000 1.0
Ge Ge11 1 0.99013533 0.99013533 -0.00000000 1.0
Ge Ge12 1 0.04254905 0.54254905 0.20168689 1.0
Ge Ge13 1 0.34086315 0.84086315 0.79831311 1.0
Ge Ge14 1 0.84086315 0.04254905 0.50000000 1.0
Ge Ge15 1 0.54254905 0.34086315 0.50000000 1.0
