V10(SiGe)3

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-1216775 · 空间群: Fmm2 (#42)

Materials Project API

基础信息

化学式

V10(SiGe)3

MP-ID

mp-1216775

元素数

位点数

密度

6.3425

g/cm³

体积

212.48

Å³

晶胞参数 a

9.4331

晶胞参数 b

7.0979

晶胞参数 c

7.0715

α 角

83.48

β 角

48.38

γ 角

48.14

空间群

Fmm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.45830

eV/atom

能量/原子

-8.01980

eV/atom

凸包距离

0.0052

eV/atom

未修正能量

-13.5430

eV/atom

体积/原子

13.28

Å³

c/a 比

0.7497

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.0017

μB

磁有序

Unknown

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.625

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.188

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9215

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

7.6613

J/mol·K

Ω 参数

0.6325

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

5.230%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1609

越小混合越稳定

VEC

4.625

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-23.108

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8388

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（2 个）

aaaduxig aaaekmfc

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1216775

参考引用

The crystal structure and related material properties of V10(SiGe)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1216775, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_V10(SiGe)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.43305505
_cell_length_b   7.09793453
_cell_length_c   7.07152139
_cell_angle_alpha   83.47685812
_cell_angle_beta   48.38134569
_cell_angle_gamma   48.14191957
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V10(SiGe)3
_chemical_formula_sum   'V10 Si3 Ge3'
_cell_volume   212.48274894
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.77011849  0.42337566  0.57662434  1.0
  V  V1  1  0.22872112  0.57870885  0.42129115  1.0
  V  V2  1  0.72936594  0.92522318  0.07477682  1.0
  V  V3  1  0.26845084  0.07298100  0.92701900  1.0
  V  V4  1  0.92522558  0.72936470  0.27063530  1.0
  V  V5  1  0.07298120  0.26844945  0.73155055  1.0
  V  V6  1  0.42337516  0.77011714  0.22988286  1.0
  V  V7  1  0.57870002  0.22872836  0.77127164  1.0
  V  V8  1  0.75403603  0.24999406  0.24596816  1.0
  V  V9  1  0.24999925  0.75403184  0.75000594  1.0
  Si  Si10  1  0.66567024  0.66567597  0.33432403  1.0
  Si  Si11  1  0.16501524  0.83416569  0.16583431  1.0
  Si  Si12  1  0.83416536  0.16501212  0.83498788  1.0
  Ge  Ge13  1  0.24990096  0.24990767  0.25010355  1.0
  Ge  Ge14  1  0.74991318  0.74989645  0.75009233  1.0
  Ge  Ge15  1  0.33436040  0.33436787  0.66563213  1.0

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