基础信息
化学式
InGaSe2
MP-ID
mp-1223671
元素数
3
位点数
8
密度
5.3021
g/cm³
体积
214.51
ų
晶胞参数 a
6.6289
Å
晶胞参数 b
6.6289
Å
晶胞参数 c
6.6289
Å
α 角
103.11
°
β 角
103.11
°
γ 角
123.13
°
空间群
I4cm
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
No
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 21.56 | 4.1218 | 46.1 | (1,-1,1) |
| 28.03 | 3.1836 | 100.0 | (1,0,1) |
| 28.27 | 3.1565 | 23.1 | (1,1,-1) |
| 30.68 | 2.9146 | 65.4 | (0,0,2) |
| 32.25 | 2.7757 | 38.7 | (1,1,0) |
| 34.40 | 2.6069 | 31.7 | (1,-1,2) |
| 35.83 | 2.5061 | 40.8 | (2,0,0) |
| 42.20 | 2.1413 | 13.6 | (1,1,1) |
| 43.93 | 2.0609 | 4.3 | (2,-2,2) |
| 45.11 | 2.0100 | 91.4 | (2,0,1) |
| 46.75 | 1.9431 | 5.3 | (0,0,3) |
| 47.71 | 1.9061 | 17.5 | (2,-1,2) |
| 49.44 | 1.8433 | 37.4 | (1,-1,3) |
| 49.90 | 1.8276 | 19.7 | (2,1,0) |
| 53.07 | 1.7257 | 16.4 | (3,-1,1) |
| 55.54 | 1.6547 | 6.7 | (1,1,2) |
| 57.93 | 1.5918 | 10.4 | (2,0,2) |
| 58.48 | 1.5782 | 2.6 | (2,2,-2) |
| 60.80 | 1.5234 | 17.8 | (2,2,-1) |
| 62.42 | 1.4877 | 12.1 | (2,-1,3) |
| 63.07 | 1.4739 | 4.2 | (3,1,-1) |
| 63.88 | 1.4573 | 9.7 | (0,0,4) |
| 64.26 | 1.4495 | 7.1 | (3,0,1) |
| 64.79 | 1.4390 | 11.1 | (3,-1,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.63908
eV/atom
能量/原子
-16.30020
eV/atom
凸包距离
0.0443
eV/atom
未修正能量
-3.6994
eV/atom
体积/原子
26.81
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0004
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Se · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0397
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.6442
J/mol·K
Ω 参数
1.6500
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
15.985%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3776
越小混合越稳定
VEC
3.500
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.254
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9464
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1223671
参考引用
The crystal structure and related material properties of InGaSe2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1223671, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_InGaSe2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.62889241
_cell_length_b 6.62889241
_cell_length_c 6.62889241
_cell_angle_alpha 103.10502709
_cell_angle_beta 103.10502709
_cell_angle_gamma 123.12903943
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural InGaSe2
_chemical_formula_sum 'In2 Ga2 Se4'
_cell_volume 214.50688751
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
In In0 1 0.59840700 0.59840700 0.00000000 1.0
In In1 1 0.09840700 0.09840700 0.00000000 1.0
Ga Ga2 1 0.24960100 0.74960100 0.50000000 1.0
Ga Ga3 1 0.74960100 0.24960100 0.50000000 1.0
Se Se4 1 0.16181500 0.33917700 0.50000000 1.0
Se Se5 1 0.83917700 0.66181500 0.50000000 1.0
Se Se6 1 0.33917700 0.83917700 0.17736200 1.0
Se Se7 1 0.66181500 0.16181500 0.82263800 1.0
