基础信息
化学式
In2GaS4
MP-ID
mp-1224167
元素数
3
位点数
7
密度
4.0425
g/cm³
体积
175.65
ų
晶胞参数 a
3.9838
Å
晶胞参数 b
3.9838
Å
晶胞参数 c
12.7798
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P3m1
点群
3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
No
堆积分数
0.7405
能量属性
形成能/原子
-0.64709
eV/atom
能量/原子
-13.32368
eV/atom
凸包距离
0.1054
eV/atom
未修正能量
-4.0608
eV/atom
体积/原子
25.09
ų
c/a 比
3.2079
X 射线衍射 (XRD) · Cu Kα · λ=1.5406 Å
衍射图谱（强度归一化至 100）
横轴 2θ (°)，纵轴相对强度
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 6.92 | 12.7695 | 30.2 | (0,0,0,1) |
| 13.86 | 6.3848 | 3.4 | (0,0,0,2) |
| 20.85 | 4.2565 | 55.9 | (0,0,0,3) |
| 25.82 | 3.4473 | 4.4 | (1,0,-1,0) |
| 26.76 | 3.3282 | 100.0 | (1,0,-1,1) |
| 29.42 | 3.0334 | 61.8 | (1,0,-1,2) |
| 33.42 | 2.6789 | 11.7 | (1,0,-1,3) |
| 35.11 | 2.5539 | 1.4 | (0,0,0,5) |
| 38.40 | 2.3423 | 47.6 | (1,0,-1,4) |
| 42.44 | 2.1283 | 3.6 | (0,0,0,6) |
| 44.09 | 2.0521 | 28.4 | (1,0,-1,5) |
| 45.54 | 1.9903 | 47.9 | (2,-1,-1,0) |
| 46.12 | 1.9666 | 2.0 | (2,-1,-1,1) |
| 49.96 | 1.8242 | 3.3 | (0,0,0,7) |
| 50.35 | 1.8109 | 25.5 | (1,0,-1,6) |
| 50.59 | 1.8030 | 30.5 | (2,-1,-1,3) |
| 53.61 | 1.7082 | 14.1 | (2,0,-2,1) |
| 55.15 | 1.6641 | 10.1 | (2,0,-2,2) |
| 57.08 | 1.6124 | 3.9 | (1,0,-1,7) |
| 57.65 | 1.5976 | 2.3 | (2,0,-2,3) |
| 58.77 | 1.5699 | 1.8 | (2,-1,-1,5) |
| 61.05 | 1.5167 | 11.5 | (2,0,-2,4) |
| 64.00 | 1.4537 | 6.2 | (2,-1,-1,6) |
| 64.26 | 1.4485 | 4.9 | (1,0,-1,8) |
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0006
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
S · 0.571
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.429
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9557
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
7.9457
J/mol·K
Ω 参数
0.0571
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
22.391%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3911
越小混合越稳定
VEC
4.714
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-54.005
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8699
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1224167
参考引用
The crystal structure and related material properties of In2GaS4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1224167, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_In2GaS4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.98382865
_cell_length_b 3.98382865
_cell_length_c 12.77978300
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 120.00001075
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural In2GaS4
_chemical_formula_sum 'In2 Ga1 S4'
_cell_volume 175.65291636
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
In In0 1 0.66666700 0.33333300 0.00759200 1.0
In In1 1 0.00000000 0.00000000 0.69631900 1.0
Ga Ga2 1 0.33333300 0.66666700 0.30436100 1.0
S S3 1 0.00000000 0.00000000 0.89160700 1.0
S S4 1 0.33333300 0.66666700 0.12179400 1.0
S S5 1 0.00000000 0.00000000 0.36445000 1.0
S S6 1 0.33333300 0.66666700 0.61387700 1.0
