基础信息
化学式
Ga2HgSe4
MP-ID
mp-1224882
元素数
3
位点数
7
密度
6.4139
g/cm³
体积
169.81
ų
晶胞参数 a
6.7223
Å
晶胞参数 b
6.7223
Å
晶胞参数 c
6.7223
Å
α 角
130.88
°
β 角
130.88
°
γ 角
72.00
°
空间群
I-4m2
点群
-42m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
No
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 16.30 | 5.4385 | 22.6 | (1,1,-1) |
| 17.85 | 4.9703 | 35.5 | (1,0,-1) |
| 22.50 | 3.9511 | 21.4 | (1,-1,0) |
| 27.91 | 3.1966 | 1.0 | (2,0,-1) |
| 29.37 | 3.0415 | 22.2 | (2,1,-2) |
| 32.04 | 2.7939 | 100.0 | (1,-1,1) |
| 32.94 | 2.7193 | 39.0 | (2,2,-2) |
| 36.14 | 2.4851 | 13.3 | (2,0,-2) |
| 36.91 | 2.4355 | 12.2 | (2,-1,-1) |
| 40.26 | 2.2400 | 9.3 | (2,2,-3) |
| 44.01 | 2.0576 | 15.1 | (3,0,-2) |
| 44.70 | 2.0272 | 5.6 | (3,2,-3) |
| 45.94 | 1.9756 | 36.5 | (2,-2,0) |
| 46.61 | 1.9487 | 58.9 | (3,1,-3) |
| 49.06 | 1.8569 | 5.7 | (3,-1,-1) |
| 49.66 | 1.8359 | 2.7 | (2,-1,-2) |
| 50.33 | 1.8128 | 1.4 | (3,3,-3) |
| 51.73 | 1.7670 | 4.8 | (2,-2,1) |
| 55.46 | 1.6568 | 3.9 | (3,0,-3) |
| 55.79 | 1.6477 | 2.1 | (3,3,-4) |
| 56.05 | 1.6408 | 5.7 | (4,1,-3) |
| 57.68 | 1.5983 | 31.0 | (4,0,-2) |
| 60.33 | 1.5343 | 3.0 | (3,-2,-1) |
| 60.92 | 1.5208 | 3.3 | (4,2,-4) |
能量属性
形成能/原子
-0.29760
eV/atom
能量/原子
-18.79754
eV/atom
凸包距离
0.3029
eV/atom
未修正能量
-3.1070
eV/atom
体积/原子
24.26
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0021
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Se · 0.571
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.429
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9557
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
7.9457
J/mol·K
Ω 参数
1.5371
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.706%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3400
越小混合越稳定
VEC
4.857
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.080
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8699
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-1224882
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ga2HgSe4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1224882, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga2HgSe4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.72225026
_cell_length_b 6.72225026
_cell_length_c 6.72225026
_cell_angle_alpha 130.88376570
_cell_angle_beta 130.88376570
_cell_angle_gamma 71.99781611
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ga2HgSe4
_chemical_formula_sum 'Ga2 Hg1 Se4'
_cell_volume 169.80570169
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Ga Ga1 1 0.25000000 0.75000000 0.50000000 1.0
Hg Hg2 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Se Se3 1 0.47736900 0.97736900 0.50000000 1.0
Se Se4 1 0.27487900 0.27487900 0.00000000 1.0
Se Se5 1 0.02263100 0.52263100 0.50000000 1.0
Se Se6 1 0.72512100 0.72512100 0.00000000 1.0
