Ga2NiN3

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-1247292 · 空间群: Cmc2_1 (#36)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ga2NiN3

MP-ID

mp-1247292

元素数

位点数

密度

5.8370

g/cm³

体积

136.64

Å³

晶胞参数 a

5.5152

晶胞参数 b

5.5348

晶胞参数 c

5.1751

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.12

空间群

Cmc2_1

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
32.35	2.7674	16.9	(1,-2,0)
32.47	2.7576	27.5	(2,-1,0)
32.47	2.7576	27.5	(1,1,0)
34.67	2.5875	56.6	(0,0,2)
36.83	2.4404	62.2	(1,-2,1)
36.94	2.4336	100.0	(2,-1,1)
48.14	1.8901	6.9	(1,-2,2)
48.23	1.8869	25.8	(2,-1,2)
57.77	1.5959	15.4	(3,-3,0)
57.77	1.5959	15.4	(0,3,0)
58.00	1.5902	15.9	(3,0,0)
63.55	1.4639	18.2	(1,-2,3)
63.63	1.4624	31.2	(2,-1,3)
67.72	1.3837	3.9	(2,-4,0)
67.99	1.3788	3.2	(4,-2,0)
69.16	1.3583	13.1	(3,-3,2)
69.16	1.3583	13.1	(0,3,2)
69.37	1.3548	13.6	(3,0,2)
70.44	1.3368	5.3	(2,-4,1)
70.71	1.3323	8.9	(4,-2,1)
70.71	1.3323	8.9	(2,2,1)
73.15	1.2938	4.3	(0,0,4)
78.37	1.2202	4.2	(2,-4,2)
78.63	1.2168	1.5	(4,-2,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.13992

eV/atom

能量/原子

-10.51551

eV/atom

凸包距离

0.3068

eV/atom

未修正能量

-6.1048

eV/atom

体积/原子

11.39

Å³

c/a 比

0.9383

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

2.0022

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.014650

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

N · 0.500

元素家族

N/A

溶质分数

0.500

间隙分数

0.500

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.318

家族

Interstitial Alloy

基质元素

N · 0.500

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaaefokp

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-1247292

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ga2NiN3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-1247292, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ga2NiN3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.51514918
_cell_length_b   5.53481706
_cell_length_c   5.17505400
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.11804549
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ga2NiN3
_chemical_formula_sum   'Ga4 Ni2 N6'
_cell_volume   136.64326392
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.33478200  0.33005800  0.49496100  1.0
  Ga  Ga1  1  0.66521800  0.99527400  0.49496100  1.0
  Ga  Ga2  1  0.66521800  0.66994200  0.99496100  1.0
  Ga  Ga3  1  0.33478200  0.00472600  0.99496100  1.0
  Ni  Ni4  1  0.00000000  0.64589100  0.49794800  1.0
  Ni  Ni5  1  0.00000000  0.35410900  0.99794800  1.0
  N  N6  1  0.32873400  0.33480200  0.87238300  1.0
  N  N7  1  0.67126600  0.00606800  0.87238300  1.0
  N  N8  1  0.67126600  0.66519800  0.37238300  1.0
  N  N9  1  0.32873400  0.99393200  0.37238300  1.0
  N  N10  1  0.00000000  0.66925100  0.85536400  1.0
  N  N11  1  0.00000000  0.33074900  0.35536400  1.0

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