基础信息
化学式
In2NiS4
MP-ID
mp-20960
元素数
3
位点数
14
密度
4.6903
g/cm³
体积
294.98
ų
晶胞参数 a
7.4720
Å
晶胞参数 b
7.4720
Å
晶胞参数 c
7.4720
Å
α 角
60.00
°
β 角
60.00
°
γ 角
60.00
°
空间群
Fd-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cF
稳定性
No
堆积分数
0.7405
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 14.52 | 6.1008 | 28.5 | (1,1,1) |
| 23.82 | 3.7360 | 12.2 | (2,1,1) |
| 28.01 | 3.1861 | 100.0 | (2,2,1) |
| 29.28 | 3.0504 | 10.7 | (2,2,2) |
| 33.93 | 2.6417 | 51.0 | (2,2,0) |
| 37.08 | 2.4242 | 9.0 | (3,2,2) |
| 41.88 | 2.1570 | 5.3 | (3,3,2) |
| 44.55 | 2.0336 | 36.5 | (3,3,3) |
| 48.75 | 1.8680 | 71.1 | (4,2,2) |
| 51.14 | 1.7861 | 6.9 | (4,3,2) |
| 54.96 | 1.6708 | 2.2 | (4,3,1) |
| 57.16 | 1.6115 | 12.7 | (4,4,3) |
| 57.89 | 1.5930 | 5.6 | (4,4,2) |
| 60.72 | 1.5252 | 11.5 | (4,4,4) |
| 62.80 | 1.4797 | 3.7 | (5,3,3) |
| 66.18 | 1.4121 | 2.4 | (5,4,3) |
| 68.16 | 1.3757 | 22.1 | (5,4,4) |
| 71.41 | 1.3209 | 10.8 | (4,4,0) |
| 73.33 | 1.2910 | 1.3 | (5,5,3) |
| 76.49 | 1.2453 | 1.2 | (6,3,3) |
| 78.37 | 1.2202 | 11.4 | (5,5,5) |
| 78.99 | 1.2121 | 2.2 | (6,4,4) |
| 81.47 | 1.1814 | 15.2 | (6,4,2) |
| 83.31 | 1.1599 | 2.6 | (6,5,4) |
能量属性
形成能/原子
-0.66519
eV/atom
能量/原子
-4.64348
eV/atom
凸包距离
0.1071
eV/atom
未修正能量
-4.3561
eV/atom
体积/原子
21.07
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
4.0000
μB
磁有序
FM
磁性位点数
2
磁化强度/体积
0.013560
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
S · 0.571
元素家族
N/A
溶质分数
0.429
间隙分数
0.000
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
B
评分
0.491
家族
S-rich Multi-Component
基质元素
S · 0.571
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-20960
参考引用
The crystal structure and related material properties of In2NiS4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-20960, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_In2NiS4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.47197614
_cell_length_b 7.47197614
_cell_length_c 7.47197614
_cell_angle_alpha 60.00000000
_cell_angle_beta 60.00000000
_cell_angle_gamma 60.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural In2NiS4
_chemical_formula_sum 'In4 Ni2 S8'
_cell_volume 294.97922619
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
In In0 1 0.62500000 0.62500000 0.62500000 1.0
In In1 1 0.12500000 0.62500000 0.62500000 1.0
In In2 1 0.62500000 0.62500000 0.12500000 1.0
In In3 1 0.62500000 0.12500000 0.62500000 1.0
Ni Ni4 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ni Ni5 1 0.25000000 0.25000000 0.25000000 1.0
S S6 1 0.37468000 0.87595900 0.37468000 1.0
S S7 1 0.87532000 0.87532000 0.37404100 1.0
S S8 1 0.87532000 0.87532000 0.87532000 1.0
S S9 1 0.37404100 0.87532000 0.87532000 1.0
S S10 1 0.37468000 0.37468000 0.37468000 1.0
S S11 1 0.87595900 0.37468000 0.37468000 1.0
S S12 1 0.87532000 0.37404100 0.87532000 1.0
S S13 1 0.37468000 0.37468000 0.87595900 1.0
