基础信息
化学式
GaAs
MP-ID
mp-2362466
元素数
2
位点数
2
密度
6.2112
g/cm³
体积
38.67
ų
晶胞参数 a
3.9262
Å
晶胞参数 b
3.9262
Å
晶胞参数 c
3.9262
Å
α 角
136.54
°
β 角
98.06
°
γ 角
97.70
°
空间群
I-4m2
点群
-42m
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
No
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 18）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 34.72 | 2.5836 | 100.0 | (1,1,-1) |
| 34.85 | 2.5744 | 99.0 | (1,-1,1) |
| 35.43 | 2.5336 | 91.3 | (0,1,0) |
| 35.46 | 2.5314 | 97.8 | (0,0,1) |
| 50.02 | 1.8236 | 69.6 | (2,0,0) |
| 50.47 | 1.8082 | 70.2 | (1,1,0) |
| 50.55 | 1.8058 | 65.1 | (1,0,1) |
| 62.70 | 1.4818 | 16.7 | (1,2,-1) |
| 62.88 | 1.4779 | 17.8 | (1,-1,2) |
| 69.63 | 1.3502 | 50.3 | (0,1,1) |
| 73.28 | 1.2918 | 10.8 | (2,2,-2) |
| 73.59 | 1.2872 | 10.7 | (2,-2,2) |
| 73.78 | 1.2843 | 20.5 | (2,1,0) |
| 73.88 | 1.2829 | 22.0 | (2,0,1) |
| 83.78 | 1.1546 | 15.2 | (3,1,-1) |
| 84.00 | 1.1521 | 15.1 | (3,-1,1) |
| 84.13 | 1.1507 | 15.6 | (2,2,-1) |
| 84.41 | 1.1476 | 14.4 | (2,-1,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.09358
eV/atom
能量/原子
-13.16873
eV/atom
凸包距离
0.3527
eV/atom
未修正能量
-3.8434
eV/atom
体积/原子
19.34
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
KVRH
65.249
GPa
GVRH
23.295
GPa
杨氏模量 E
62.453
GPa
泊松比 ν
0.340
Pugh 比 K/G
2.801
维氏硬度估算
0.780
GPa
韧性
Brittle
各向异性
1.153
拉梅 λ
49.719
GPa
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
弹性模量对比 (GPa)
弹性特征
弹性各向异性 AU
1.1530
均匀泊松比 ν
0.3400
Debye 温度
307.6
K
声速
2,174.6
m/s
均匀度
0.3400
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-2362466
参考引用
The crystal structure and related material properties of GaAs were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-2362466, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaAs
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.92621657
_cell_length_b 3.92621657
_cell_length_c 3.92621657
_cell_angle_alpha 136.54380354
_cell_angle_beta 98.05688908
_cell_angle_gamma 97.69752118
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural GaAs
_chemical_formula_sum 'Ga1 As1'
_cell_volume 38.67006147
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.50000000 0.64939059 0.14939059 1.0
As As1 1 0.00000000 0.90508841 0.90508841 1.0
