基础信息
化学式
Ga3Si4Ir3
MP-ID
mp-3210612
元素数
3
位点数
20
密度
9.6191
g/cm³
体积
310.10
ų
晶胞参数 a
7.3854
Å
晶胞参数 b
7.3854
Å
晶胞参数 c
7.3854
Å
α 角
109.47
°
β 角
109.47
°
γ 角
109.47
°
空间群
Im-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cI
稳定性
Yes
堆积分数
0.6802
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 14.69 | 6.0302 | 5.8 | (1,0,0) |
| 20.83 | 4.2640 | 95.4 | (1,1,-1) |
| 25.59 | 3.4815 | 100.0 | (1,1,0) |
| 25.59 | 3.4815 | 33.3 | (1,-2,0) |
| 29.63 | 3.0151 | 3.3 | (2,0,0) |
| 33.22 | 2.6968 | 10.5 | (2,1,-2) |
| 33.22 | 2.6968 | 21.0 | (2,-1,-2) |
| 36.50 | 2.4618 | 75.0 | (3,-1,-1) |
| 36.50 | 2.4618 | 25.0 | (1,-3,1) |
| 39.54 | 2.2792 | 11.5 | (2,1,0) |
| 39.54 | 2.2792 | 4.7 | (2,-3,0) |
| 42.40 | 2.1320 | 35.5 | (2,2,-2) |
| 45.11 | 2.0101 | 92.1 | (3,0,0) |
| 45.11 | 2.0101 | 92.1 | (2,-1,-3) |
| 47.69 | 1.9069 | 2.9 | (3,1,-1) |
| 47.69 | 1.9069 | 2.9 | (3,-1,-3) |
| 50.18 | 1.8182 | 29.4 | (4,-1,-1) |
| 50.18 | 1.8182 | 9.8 | (2,-4,1) |
| 52.57 | 1.7408 | 38.7 | (2,2,0) |
| 52.57 | 1.7408 | 12.9 | (2,-4,0) |
| 59.36 | 1.5570 | 27.5 | (4,1,-2) |
| 59.36 | 1.5570 | 2.5 | (2,-4,-1) |
| 61.51 | 1.5075 | 4.4 | (4,0,0) |
| 61.51 | 1.5075 | 4.4 | (4,-4,0) |
能量属性
形成能/原子
-0.57771
eV/atom
能量/原子
-23.22786
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.2279
eV/atom
体积/原子
15.50
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.400
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.600
间隙分数
0.400
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0889
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.0531
J/mol·K
Ω 参数
1.0182
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
7.081%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1596
越小混合越稳定
VEC
5.200
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-14.114
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9912
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3210612
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ga3Si4Ir3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3210612, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga3Si4Ir3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.38540755
_cell_length_b 7.38540673
_cell_length_c 7.38540782
_cell_angle_alpha 109.47122362
_cell_angle_beta 109.47122137
_cell_angle_gamma 109.47121454
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ga3Si4Ir3
_chemical_formula_sum 'Ga6 Si8 Ir6'
_cell_volume 310.09980157
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.50000000 0.75000000 0.25000000 1.0
Ga Ga1 1 0.50000000 0.25000000 0.75000000 1.0
Ga Ga2 1 0.25000000 0.50000000 0.75000000 1.0
Ga Ga3 1 0.75000000 0.50000000 0.25000000 1.0
Ga Ga4 1 0.75000000 0.25000000 0.50000000 1.0
Ga Ga5 1 0.25000000 0.75000000 0.50000000 1.0
Si Si6 1 0.32576946 0.32576946 0.32576946 1.0
Si Si7 1 0.67423054 0.67423054 0.67423054 1.0
Si Si8 1 0.00000000 0.00000000 0.67423054 1.0
Si Si9 1 1.00000000 0.67423054 0.00000000 1.0
Si Si10 1 0.00000000 0.00000000 0.32576946 1.0
Si Si11 1 0.00000000 0.32576946 1.00000000 1.0
Si Si12 1 0.67423054 1.00000000 1.00000000 1.0
Si Si13 1 0.32576946 0.00000000 0.00000000 1.0
Ir Ir14 1 1.00000000 0.33078626 0.33078626 1.0
Ir Ir15 1 0.00000000 0.66921374 0.66921374 1.0
Ir Ir16 1 0.33078626 1.00000000 0.33078626 1.0
Ir Ir17 1 0.66921374 0.00000000 0.66921374 1.0
Ir Ir18 1 0.33078626 0.33078626 0.00000000 1.0
Ir Ir19 1 0.66921374 0.66921374 1.00000000 1.0
