Cs(GaBi)2

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-3240798 · 空间群: I4/mmm (#139)

Materials Project API

基础信息

化学式

Cs(GaBi)2

MP-ID

mp-3240798

元素数

位点数

密度

6.4765

g/cm³

体积

176.99

Å³

晶胞参数 a

4.7571

晶胞参数 b

4.7571

晶胞参数 c

8.5134

α 角

73.78

β 角

73.78

γ 角

90.02

空间群

I4/mmm

点群

4/mmm

晶体系统

Tetragonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.31	7.8212	36.2	(0,0,1)
19.50	4.5514	9.8	(0,1,0)
19.50	4.5513	9.8	(1,0,0)
19.50	4.5512	9.8	(0,1,1)
19.50	4.5512	9.8	(1,0,1)
22.74	3.9106	2.8	(0,0,2)
25.34	3.5144	99.8	(0,1,-1)
25.34	3.5143	99.8	(1,0,-1)
25.34	3.5142	100.0	(0,1,2)
25.34	3.5141	100.0	(1,0,2)
26.49	3.3643	53.2	(1,-1,0)
26.50	3.3633	53.2	(1,1,1)
28.89	3.0905	8.1	(1,-1,-1)
28.89	3.0905	8.1	(1,-1,1)
28.90	3.0898	8.2	(1,1,0)
28.90	3.0896	8.0	(1,1,2)
34.31	2.6139	5.9	(0,1,-2)
34.31	2.6139	5.9	(1,0,-2)
34.31	2.6138	5.9	(0,1,3)
34.31	2.6138	5.9	(1,0,3)
34.40	2.6071	13.3	(0,0,3)
35.19	2.5504	23.4	(1,-1,-2)
35.19	2.5504	23.4	(1,-1,2)
35.19	2.5500	23.4	(1,1,-1)

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能量属性

形成能/原子

-0.25247

eV/atom

能量/原子

-33.25218

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-33.2522

eV/atom

体积/原子

35.40

Å³

c/a 比

1.7896

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0008

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.400

元素家族

N/A

溶质分数

0.600

间隙分数

0.000

ROM 混合特征雷达

评级与分类

评级 Tier

评分

0.441

家族

Ga-rich Multi-Component

基质元素

Ga · 0.400

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahckcc

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3240798

参考引用

The crystal structure and related material properties of Cs(GaBi)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3240798, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Cs(GaBi)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.75704786
_cell_length_b   4.75710639
_cell_length_c   8.51342320
_cell_angle_alpha   73.78388776
_cell_angle_beta   73.78432075
_cell_angle_gamma   90.01662506
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Cs(GaBi)2
_chemical_formula_sum   'Cs1 Ga2 Bi2'
_cell_volume   176.99133629
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Cs  Cs0  1  0.99999900  0.00000200  0.99999900  1.0
  Ga  Ga1  1  0.75018223  0.24981277  0.50000300  1.0
  Ga  Ga2  1  0.24981877  0.75018423  0.49999700  1.0
  Bi  Bi3  1  0.64572252  0.64572152  0.70824595  1.0
  Bi  Bi4  1  0.35427748  0.35427948  0.29175405  1.0

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