ThVSi3

高熵材料 HEA 传统材料 TRA

MP-ID: mp-3254605 · 空间群: P6_3/mmc (#194)

Materials Project API

基础信息

化学式

ThVSi3

MP-ID

mp-3254605

元素数

位点数

密度

6.9858

g/cm³

体积

174.58

Å³

晶胞参数 a

6.0055

晶胞参数 b

6.0055

晶胞参数 c

5.5897

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P6_3/mmc

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
17.05	5.2009	17.6	(1,0,-1,0)
23.36	3.8076	100.0	(1,0,-1,1)
29.75	3.0027	51.1	(2,-1,-1,0)
29.75	3.0027	25.6	(1,-2,1,0)
32.02	2.7948	21.8	(0,0,0,2)
34.49	2.6004	7.8	(2,0,-2,0)
36.50	2.4619	38.3	(1,0,-1,2)
38.17	2.3578	79.0	(2,0,-2,1)
44.28	2.0458	20.1	(2,-1,-1,2)
47.77	1.9038	8.4	(2,0,-2,2)
47.77	1.9038	16.7	(2,-2,0,2)
49.13	1.8544	7.5	(3,-1,-2,1)
49.13	1.8544	37.5	(3,-2,-1,1)
52.15	1.7541	12.7	(1,0,-1,3)
52.81	1.7336	4.5	(3,0,-3,0)
52.81	1.7336	9.0	(3,-3,0,0)
57.30	1.6079	6.7	(3,-1,-2,2)
57.30	1.6079	3.4	(2,-3,1,2)
61.19	1.5146	6.7	(2,0,-2,3)
61.19	1.5146	13.4	(2,-2,0,3)
61.79	1.5014	10.2	(4,-2,-2,0)
61.79	1.5014	5.1	(2,-4,2,0)
63.11	1.4732	2.0	(3,0,-3,2)
63.11	1.4732	3.9	(3,-3,0,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.60736

eV/atom

能量/原子

-23.38458

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-23.3846

eV/atom

体积/原子

17.46

Å³

c/a 比

0.9308

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0013

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.600

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.400

间隙分数

0.600

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9503

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

7.9005

J/mol·K

Ω 参数

0.6846

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

18.350%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2373

越小混合越稳定

VEC

3.800

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-21.600

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8650

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahdend

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3254605

参考引用

The crystal structure and related material properties of ThVSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3254605, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_ThVSi3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.00545132
_cell_length_b   6.00545023
_cell_length_c   5.58964890
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999514
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThVSi3
_chemical_formula_sum   'Th2 V2 Si6'
_cell_volume   174.58479014
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.66666600  0.33333400  0.25000000  1.0
  Th  Th1  1  0.33333400  0.66666700  0.75000000  1.0
  V  V2  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  V  V3  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Si  Si4  1  0.19920861  0.39841821  0.25000000  1.0
  Si  Si5  1  0.19920861  0.80079139  0.25000000  1.0
  Si  Si6  1  0.60158179  0.80079139  0.25000000  1.0
  Si  Si7  1  0.39841721  0.19920761  0.75000000  1.0
  Si  Si8  1  0.80079039  0.19920761  0.75000000  1.0
  Si  Si9  1  0.80079139  0.60158279  0.75000000  1.0

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