基础信息
化学式
Ce3Ga4S
MP-ID
mp-3268884
元素数
3
位点数
16
密度
6.6886
g/cm³
体积
363.11
ų
晶胞参数 a
7.9918
Å
晶胞参数 b
7.9918
Å
晶胞参数 c
7.9918
Å
α 角
119.59
°
β 角
119.59
°
γ 角
90.70
°
空间群
I4/mcm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 15.78 | 5.6163 | 4.3 | (1,1,-1) |
| 22.25 | 3.9956 | 13.5 | (2,0,-1) |
| 26.02 | 3.4247 | 53.5 | (2,-1,0) |
| 27.28 | 3.2691 | 43.4 | (2,0,0) |
| 31.47 | 2.8428 | 27.1 | (2,-2,0) |
| 31.87 | 2.8081 | 59.3 | (2,2,-2) |
| 34.58 | 2.5935 | 100.0 | (3,0,-1) |
| 34.58 | 2.5935 | 100.0 | (0,3,-2) |
| 35.30 | 2.5427 | 70.5 | (2,-2,1) |
| 35.30 | 2.5427 | 70.5 | (2,-2,-1) |
| 35.39 | 2.5364 | 1.2 | (3,-1,-1) |
| 35.66 | 2.5178 | 1.3 | (3,1,-2) |
| 35.66 | 2.5178 | 1.3 | (2,2,-3) |
| 38.88 | 2.3164 | 9.4 | (3,-1,0) |
| 45.10 | 2.0102 | 8.8 | (2,-2,2) |
| 45.40 | 1.9978 | 17.8 | (4,0,-2) |
| 47.31 | 1.9214 | 16.5 | (3,-2,1) |
| 47.45 | 1.9160 | 2.9 | (4,-1,-1) |
| 47.45 | 1.9160 | 2.9 | (2,1,-4) |
| 48.00 | 1.8952 | 15.3 | (3,-3,0) |
| 48.29 | 1.8848 | 57.7 | (4,0,-1) |
| 48.29 | 1.8848 | 8.2 | (0,4,-1) |
| 48.64 | 1.8721 | 4.3 | (3,3,-3) |
| 50.78 | 1.7980 | 19.5 | (3,-3,1) |
能量属性
形成能/原子
-1.13574
eV/atom
能量/原子
-19.42662
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.4266
eV/atom
体积/原子
22.69
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
5.3734
μB
磁有序
FM
磁性位点数
6
磁化强度/体积
0.014800
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9743
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
8.1005
J/mol·K
Ω 参数
0.0924
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.445%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4757
越小混合越稳定
VEC
3.375
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-52.672
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8869
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3268884
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ce3Ga4S were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3268884, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ce3Ga4S
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.99182244
_cell_length_b 7.99182192
_cell_length_c 7.99182207
_cell_angle_alpha 119.59440679
_cell_angle_beta 119.59440088
_cell_angle_gamma 90.70395997
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ce3Ga4S
_chemical_formula_sum 'Ce6 Ga8 S2'
_cell_volume 363.11258069
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ce Ce0 1 0.83416974 0.66583026 0.50000000 1.0
Ce Ce1 1 0.66583026 0.16583026 0.83166052 1.0
Ce Ce2 1 0.33416974 0.83416974 0.16833948 1.0
Ce Ce3 1 0.16583026 0.33416974 0.50000000 1.0
Ce Ce4 1 0.25000000 0.25000000 0.00000000 1.0
Ce Ce5 1 0.75000000 0.75000000 0.00000000 1.0
Ga Ga6 1 0.15754268 0.94293851 0.50000000 1.0
Ga Ga7 1 0.44293851 0.65754268 0.50000000 1.0
Ga Ga8 1 0.55706149 0.34245732 0.50000000 1.0
Ga Ga9 1 0.65754268 0.15754268 0.21460417 1.0
Ga Ga10 1 0.84245732 0.05706149 0.50000000 1.0
Ga Ga11 1 0.05706149 0.55706149 0.21460417 1.0
Ga Ga12 1 0.34245732 0.84245732 0.78539583 1.0
Ga Ga13 1 0.94293851 0.44293851 0.78539583 1.0
S S14 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
S S15 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
