基础信息
化学式
Sm2Si4Tc3
MP-ID
mp-3302740
元素数
3
位点数
18
密度
7.5727
g/cm³
体积
310.09
ų
晶胞参数 a
8.1028
Å
晶胞参数 b
5.6306
Å
晶胞参数 c
6.9823
Å
α 角
76.76
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P2_1/c
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 13.03 | 6.7967 | 4.4 | (0,0,1) |
| 17.03 | 5.2073 | 1.7 | (1,0,1) |
| 19.55 | 4.5399 | 9.8 | (1,1,0) |
| 21.94 | 4.0514 | 6.7 | (2,0,0) |
| 25.58 | 3.4824 | 11.6 | (1,1,-1) |
| 25.60 | 3.4800 | 29.9 | (2,0,1) |
| 26.22 | 3.3984 | 12.5 | (0,0,2) |
| 27.38 | 3.2580 | 15.1 | (2,1,0) |
| 28.48 | 3.1339 | 11.6 | (1,0,2) |
| 28.73 | 3.1074 | 60.2 | (2,1,1) |
| 29.70 | 3.0080 | 70.1 | (1,1,2) |
| 32.04 | 2.7934 | 31.7 | (2,1,-1) |
| 32.30 | 2.7713 | 51.7 | (0,2,1) |
| 32.68 | 2.7405 | 29.2 | (0,2,0) |
| 34.45 | 2.6037 | 8.4 | (2,0,2) |
| 34.55 | 2.5960 | 1.3 | (1,2,0) |
| 35.48 | 2.5301 | 1.3 | (2,1,2) |
| 35.77 | 2.5100 | 100.0 | (3,0,1) |
| 35.89 | 2.5024 | 89.7 | (1,1,-2) |
| 37.11 | 2.4227 | 3.8 | (3,1,0) |
| 37.13 | 2.4214 | 35.7 | (0,2,2) |
| 38.12 | 2.3610 | 25.2 | (0,2,-1) |
| 38.15 | 2.3589 | 3.1 | (3,1,1) |
| 38.82 | 2.3200 | 10.4 | (1,2,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.70525
eV/atom
能量/原子
-19.86690
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.8669
eV/atom
体积/原子
17.23
ų
c/a 比
0.8617
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.6864
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.002210
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.444
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.556
间隙分数
0.444
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0609
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.8200
J/mol·K
Ω 参数
0.0000
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
19.018%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3035
越小混合越稳定
VEC
4.778
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9656
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID(1 个)
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3302740
参考引用
The crystal structure and related material properties of Sm2Si4Tc3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3302740, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
晶体结构 3D 渲染
加载 3D 结构...
样式: Ball & Stick
|
拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Sm2Si4Tc3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 8.10277391
_cell_length_b 5.63055350
_cell_length_c 6.98228704
_cell_angle_alpha 76.76162679
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Sm2Si4Tc3
_chemical_formula_sum 'Sm4 Si8 Tc6'
_cell_volume 310.08827091
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Sm Sm0 1 0.93136833 0.56301859 0.25114806 1.0
Sm Sm1 1 0.43136833 0.93698141 0.74885194 1.0
Sm Sm2 1 0.06863167 0.43698141 0.74885194 1.0
Sm Sm3 1 0.56863167 0.06301859 0.25114806 1.0
Si Si4 1 0.58862691 0.61149400 0.11057076 1.0
Si Si5 1 0.08862691 0.88850600 0.88942924 1.0
Si Si6 1 0.41137309 0.38850600 0.88942924 1.0
Si Si7 1 0.91137309 0.11149400 0.11057076 1.0
Si Si8 1 0.75191601 0.71720655 0.58923849 1.0
Si Si9 1 0.25191601 0.78279345 0.41076151 1.0
Si Si10 1 0.24808399 0.28279345 0.41076151 1.0
Si Si11 1 0.74808399 0.21720655 0.58923849 1.0
Tc Tc12 1 0.29357915 0.61083393 0.12061011 1.0
Tc Tc13 1 0.79357915 0.88916607 0.87938989 1.0
Tc Tc14 1 0.70642085 0.38916607 0.87938989 1.0
Tc Tc15 1 0.20642085 0.11083393 0.12061011 1.0
Tc Tc16 1 0.50000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Tc Tc17 1 0.00000000 0.00000000 0.50000000 1.0
获取直接链接