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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3319510 · 空间群: Imm2 (#44)

基础信息

化学式
La3(Ga2Si)2
MP-ID
mp-3319510
元素数
3
位点数
18
密度
6.0848
g/cm³
体积
410.32
ų
晶胞参数 a
4.2945
Å
晶胞参数 b
4.3705
Å
晶胞参数 c
22.0753
Å
α 角
84.32
°
β 角
84.42
°
γ 角
90.00
°
空间群
Imm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.82659
eV/atom
能量/原子
-17.77692
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.7769
eV/atom
体积/原子
22.80
ų
c/a 比
5.1404

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0010
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.444
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.556
间隙分数
0.222
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0609
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.8200
J/mol·K
Ω 参数
0.2647
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
21.109%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3506
越小混合越稳定
VEC
3.222
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-30.233
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9656
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3319510
参考引用

The crystal structure and related material properties of La3(Ga2Si)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3319510, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_La3(Ga2Si)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.29445861
_cell_length_b   4.37051708
_cell_length_c   22.07530259
_cell_angle_alpha   84.31891518
_cell_angle_beta   84.41810083
_cell_angle_gamma   89.99999429
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   La3(Ga2Si)2
_chemical_formula_sum   'La6 Ga8 Si4'
_cell_volume   410.32195872
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  La  La0  1  0.95808327  0.70808327  0.08383247  1.0
  La  La1  1  0.29115236  0.04115236  0.41769628  1.0
  La  La2  1  0.62357209  0.37357209  0.75285382  1.0
  La  La3  1  0.37673686  0.62673686  0.24652729  1.0
  La  La4  1  0.70892542  0.95892542  0.58214917  1.0
  La  La5  1  0.04097048  0.29097048  0.91805805  1.0
  Ga  Ga6  1  0.82045935  0.57045935  0.35908029  1.0
  Ga  Ga7  1  0.15284729  0.90284729  0.69430642  1.0
  Ga  Ga8  1  0.43140666  0.18140666  0.13718568  1.0
  Ga  Ga9  1  0.76445073  0.51445073  0.47109955  1.0
  Ga  Ga10  1  0.09673989  0.84673989  0.80652122  1.0
  Ga  Ga11  1  0.84787966  0.09787966  0.30424168  1.0
  Ga  Ga12  1  0.18031867  0.43031867  0.63936267  1.0
  Ga  Ga13  1  0.51330550  0.76330550  0.97338800  1.0
  Si  Si14  1  0.90308738  0.15308738  0.19382524  1.0
  Si  Si15  1  0.23549727  0.48549727  0.52900545  1.0
  Si  Si16  1  0.56826067  0.81826067  0.86347865  1.0
  Si  Si17  1  0.48630646  0.23630646  0.02738508  1.0
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