基础信息
化学式
Ga2(SiTc)3
MP-ID
mp-3335273
元素数
3
位点数
8
密度
8.0385
g/cm³
体积
106.94
ų
晶胞参数 a
3.1248
Å
晶胞参数 b
3.1248
Å
晶胞参数 c
10.9527
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4mm
点群
4mm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 8.07 | 10.9527 | 3.7 | (0,0,1) |
| 16.19 | 5.4763 | 6.4 | (0,0,2) |
| 24.38 | 3.6509 | 10.1 | (0,0,3) |
| 28.57 | 3.1248 | 3.4 | (1,0,0) |
| 29.73 | 3.0049 | 8.5 | (1,0,1) |
| 33.00 | 2.7140 | 25.6 | (1,0,2) |
| 37.90 | 2.3740 | 9.0 | (1,0,3) |
| 40.84 | 2.2095 | 70.0 | (1,1,0) |
| 43.97 | 2.0594 | 100.0 | (1,0,4) |
| 44.20 | 2.0490 | 2.3 | (1,1,2) |
| 48.14 | 1.8903 | 6.2 | (1,1,3) |
| 49.96 | 1.8254 | 3.7 | (0,0,6) |
| 50.91 | 1.7937 | 1.2 | (1,0,5) |
| 59.04 | 1.5647 | 1.5 | (0,0,7) |
| 59.13 | 1.5624 | 22.9 | (2,0,0) |
| 64.92 | 1.4364 | 2.5 | (2,0,3) |
| 66.43 | 1.4073 | 6.1 | (1,1,6) |
| 66.87 | 1.3991 | 2.5 | (1,0,7) |
| 67.58 | 1.3862 | 1.6 | (2,1,1) |
| 68.54 | 1.3691 | 4.4 | (0,0,8) |
| 69.41 | 1.3541 | 5.6 | (2,1,2) |
| 72.41 | 1.3051 | 2.5 | (2,1,3) |
| 74.28 | 1.2769 | 2.9 | (1,1,7) |
| 76.54 | 1.2447 | 37.3 | (2,1,4) |
能量属性
形成能/原子
-0.46527
eV/atom
能量/原子
-16.35287
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.3529
eV/atom
体积/原子
13.37
ų
c/a 比
3.5051
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0043
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000040
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.375
元素家族
N/A
溶质分数
0.625
间隙分数
0.375
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
C
评分
0.402
家族
Si-rich Multi-Component
基质元素
Si · 0.375
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3335273
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ga2(SiTc)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3335273, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga2(SiTc)3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.12476147
_cell_length_b 3.12476147
_cell_length_c 10.95266278
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ga2(SiTc)3
_chemical_formula_sum 'Ga2 Si3 Tc3'
_cell_volume 106.94326993
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.50000000 0.50000000 0.99740199 1.0
Ga Ga1 1 0.00000000 0.00000000 0.37986022 1.0
Si Si2 1 0.50000000 0.50000000 0.24626364 1.0
Si Si3 1 0.00000000 0.00000000 0.62270201 1.0
Si Si4 1 0.50000000 0.50000000 0.74719939 1.0
Tc Tc5 1 0.00000000 0.00000000 0.14073978 1.0
Tc Tc6 1 0.50000000 0.50000000 0.51402091 1.0
Tc Tc7 1 0.00000000 0.00000000 0.85181106 1.0
