基础信息
化学式
Ho4Ga3Si
MP-ID
mp-3337959
元素数
3
位点数
8
密度
8.2053
g/cm³
体积
181.53
ų
晶胞参数 a
3.9390
Å
晶胞参数 b
4.3016
Å
晶胞参数 c
10.7132
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.79265
eV/atom
能量/原子
-22.62108
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.6211
eV/atom
体积/原子
22.69
ų
c/a 比
2.7198
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
0.9096
μB
磁有序
FM
磁性位点数
4
磁化强度/体积
0.005010
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.500
元素家族
N/A
溶质分数
0.500
间隙分数
0.125
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
B
评分
0.530
家族
Interstitial Alloy
基质元素
Ho · 0.500
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3337959
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ho4Ga3Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3337959, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
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_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
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_cell_length_b 4.30159774
_cell_length_c 10.71321597
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
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_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ho4Ga3Si
_chemical_formula_sum 'Ho4 Ga3 Si1'
_cell_volume 181.52570362
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ho Ho0 1 0.00000000 0.00000000 0.14282622 1.0
Ho Ho1 1 0.00000000 0.50000000 0.63714314 1.0
Ho Ho2 1 0.50000000 0.50000000 0.36017726 1.0
Ho Ho3 1 0.50000000 0.00000000 0.85962950 1.0
Ga Ga4 1 0.00000000 0.50000000 0.92276533 1.0
Ga Ga5 1 0.50000000 0.50000000 0.07834909 1.0
Ga Ga6 1 0.50000000 0.00000000 0.57414209 1.0
Si Si7 1 0.00000000 0.00000000 0.42496537 1.0