基础信息
化学式
BaSiTc2
MP-ID
mp-631504
元素数
3
位点数
4
密度
7.6850
g/cm³
体积
78.09
ų
晶胞参数 a
4.7978
Å
晶胞参数 b
4.7978
Å
晶胞参数 c
4.7978
Å
α 角
60.00
°
β 角
60.00
°
γ 角
60.00
°
空间群
F-43m
点群
-43m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cF
稳定性
No
堆积分数
0.7405
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 13）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 22.70 | 3.9174 | 11.3 | (1,1,1) |
| 26.27 | 3.3926 | 10.2 | (1,1,0) |
| 37.49 | 2.3989 | 100.0 | (2,1,1) |
| 44.28 | 2.0458 | 5.9 | (2,2,1) |
| 46.36 | 1.9587 | 3.0 | (2,2,2) |
| 54.06 | 1.6963 | 17.0 | (2,2,0) |
| 59.37 | 1.5566 | 2.4 | (3,1,1) |
| 61.08 | 1.5172 | 3.9 | (3,2,1) |
| 67.64 | 1.3850 | 34.4 | (3,3,2) |
| 72.37 | 1.3058 | 1.8 | (3,3,3) |
| 79.99 | 1.1995 | 10.8 | (4,2,2) |
| 84.47 | 1.1469 | 1.8 | (4,3,2) |
| 85.96 | 1.1309 | 2.0 | (4,1,1) |
能量属性
形成能/原子
1.00231
eV/atom
能量/原子
-6.01409
eV/atom
凸包距离
1.2643
eV/atom
未修正能量
-6.0141
eV/atom
体积/原子
19.52
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0001
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.500
元素家族
N/A
溶质分数
0.500
间隙分数
0.250
ROM 混合特征雷达
评级与分类
评级 Tier
C
评分
0.269
家族
Interstitial Alloy
基质元素
Tc · 0.500
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-631504
参考引用
The crystal structure and related material properties of BaSiTc2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-631504, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_BaSiTc2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.79778598
_cell_length_b 4.79778598
_cell_length_c 4.79778598
_cell_angle_alpha 60.00000000
_cell_angle_beta 60.00000000
_cell_angle_gamma 60.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural BaSiTc2
_chemical_formula_sum 'Ba1 Si1 Tc2'
_cell_volume 78.09219226
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ba Ba0 1 0.50000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Si Si1 1 0.25000000 0.25000000 0.25000000 1.0
Tc Tc2 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Tc Tc3 1 0.75000000 0.75000000 0.75000000 1.0
