基础信息
化学式
Ga2NiS4
MP-ID
mp-6959
元素数
3
位点数
7
密度
3.7523
g/cm³
体积
144.44
ų
晶胞参数 a
3.6489
Å
晶胞参数 b
3.6489
Å
晶胞参数 c
12.5269
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P-3m1
点群
-3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
No
堆积分数
0.7405
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 7.06 | 12.5269 | 91.5 | (0,0,0,1) |
| 14.14 | 6.2634 | 21.8 | (0,0,0,2) |
| 21.28 | 4.1756 | 59.1 | (0,0,0,3) |
| 28.24 | 3.1601 | 16.8 | (1,0,-1,0) |
| 28.50 | 3.1317 | 7.2 | (0,0,0,4) |
| 29.14 | 3.0641 | 90.9 | (1,0,-1,1) |
| 31.72 | 2.8213 | 100.0 | (1,0,-1,2) |
| 35.63 | 2.5198 | 22.4 | (1,0,-1,3) |
| 35.84 | 2.5054 | 3.1 | (0,0,0,5) |
| 40.56 | 2.2244 | 17.7 | (1,0,-1,4) |
| 46.24 | 1.9632 | 68.8 | (1,0,-1,5) |
| 49.99 | 1.8245 | 65.7 | (2,-1,-1,0) |
| 50.56 | 1.8054 | 4.0 | (2,-1,-1,1) |
| 51.04 | 1.7896 | 1.2 | (0,0,0,7) |
| 52.22 | 1.7517 | 3.3 | (2,-1,-1,2) |
| 52.22 | 1.7517 | 1.6 | (1,1,-2,2) |
| 52.53 | 1.7420 | 36.4 | (1,0,-1,6) |
| 54.92 | 1.6718 | 23.8 | (2,-1,-1,3) |
| 58.41 | 1.5800 | 1.8 | (2,0,-2,0) |
| 58.55 | 1.5765 | 6.5 | (2,-1,-1,4) |
| 58.92 | 1.5676 | 12.0 | (2,0,-2,1) |
| 58.99 | 1.5659 | 3.2 | (0,0,0,8) |
| 59.35 | 1.5572 | 13.6 | (1,0,-1,7) |
| 60.42 | 1.5320 | 14.0 | (2,0,-2,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.82464
eV/atom
能量/原子
-4.87977
eV/atom
凸包距离
0.0423
eV/atom
未修正能量
-4.5923
eV/atom
体积/原子
20.63
ų
c/a 比
3.4330
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
1.9999
μB
磁有序
FM
磁性位点数
1
磁化强度/体积
0.013850
μB/ų
弹性属性
KVRH
16.259
GPa
GVRH
10.650
GPa
杨氏模量 E
26.224
GPa
泊松比 ν
0.231
Pugh 比 K/G
1.527
维氏硬度估算
-
GPa
韧性
Ductile
各向异性
-108.171
拉梅 λ
9.159
GPa
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
S · 0.571
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.429
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9557
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
7.9457
J/mol·K
Ω 参数
0.0980
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.529%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3659
越小混合越稳定
VEC
5.714
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-45.045
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8699
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-6959
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ga2NiS4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-6959, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ga2NiS4
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 3.64891604
_cell_length_b 3.64891604
_cell_length_c 12.52685600
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 120.00000075
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ga2NiS4
_chemical_formula_sum 'Ga2 Ni1 S4'
_cell_volume 144.44431542
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ga Ga0 1 0.33333300 0.66666700 0.77039500 1.0
Ga Ga1 1 0.66666700 0.33333300 0.22960500 1.0
Ni Ni2 1 0.00000000 0.00000000 0.50000000 1.0
S S3 1 0.66666700 0.33333300 0.40723100 1.0
S S4 1 0.33333300 0.66666700 0.59276900 1.0
S S5 1 0.66666700 0.33333300 0.85398200 1.0
S S6 1 0.33333300 0.66666700 0.14601800 1.0
